NộI Dung
Samsung đã bắt đầu sản xuất hàng loạt bộ lưu trữ eUFS 2.1 một terabyte, công ty công bố hôm nay. Thông báo này được đưa ra sau những tin đồn rằng công ty sẽ giới thiệu một biến thể Galaxy S10 với dung lượng lưu trữ cực lớn. Bộ lưu trữ flash dung lượng cao sử dụng cùng không gian vật lý như đèn flash 512GB được công bố trước đây được tìm thấy trong phiên bản cao cấp của Galaxy Note 9.
Việc lưu trữ dựa trên công nghệ bộ nhớ flash V-NAND tiên tiến của Samsung, có mật độ nâng cao, yêu cầu năng lượng thấp hơn và tốc độ thường nhanh hơn. Nó sử dụng sắp xếp theo chiều dọc của các ô NAND đơn, so với cách sắp xếp theo chiều ngang của NAND thông thường, sẽ hiệu quả hơn rất nhiều.
Người dùng có thể mong đợi điều gì?
Mặc dù Samsung tuyên bố rằng bộ lưu trữ dựa trên eUFS 2.1 có thể đạt được tốc độ đọc tuần tự cao tới 1.000 megabyte mỗi giây, nhưng bạn không thể đạt được con số đó khi sử dụng trong thế giới thực. Tốc độ ngẫu nhiên là vấn đề quan trọng hơn và các số liệu sơ bộ do Samsung công bố cho thấy những điều đó cũng đã được cải thiện khá nhiều.
Cụ thể, tốc độ ghi ngẫu nhiên sẽ giúp kích hoạt các ứng dụng như chụp khung hình cao liên tục. Cho đến nay hầu hết các điện thoại đã bị giới hạn chỉ trong vài giây quay video tốc độ khung hình cao. Samsung cho biết tốc độ đọc và ghi cao hơn trên giải pháp lưu trữ 1 terabyte dựa trên V-NAND mới sẽ đủ để cho phép quay video liên tục, dài hạn với tốc độ 960 khung hình mỗi giây.
Việc sản xuất cho bộ lưu trữ flash đã bắt đầu tại nhà máy Samsung, ở Pyeongtaek, Hàn Quốc và chúng tôi hy vọng sẽ bắt đầu nghe về việc điện thoại ra mắt với bộ lưu trữ dung lượng cao tại MWC. Dựa trên suy đoán trước đó và Galaxy S10 đã xác nhận ra mắt vào ngày 20 tháng 2, có một cơ hội tốt, chúng tôi sẽ thấy bộ nhớ được bao gồm trong một phiên bản của chiếc điện thoại đó.
Bạn nghĩ gì về một terabyte dung lượng lưu trữ trên điện thoại? Bạn có mang theo đủ phương tiện để biện minh cho năng lực cao hay bạn đã nắm lấy một tương lai đầu tiên trên nền tảng đám mây?
